23A025分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
23A025 |
參數(shù)屬性 | 23A025 封裝/外殼為55BT;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT |
功能描述 | 2.5 Watts, 20 Volts, Class A Linear to 2300 MHz |
封裝外殼 | 55BT |
文件大小 |
32.93 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | GHz Technology |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
GHZTECH |
中文名稱 | GHz Technology官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-14 17:42:00 |
23A025規(guī)格書(shū)詳情
GENERAL DESCRIPTION
The 23A025 is a COMMON EMITTER transistor capable of providing 2.5 Watts of Class A, RF output power to 2300 MHz. This transistor is specifically designed for general Class A amplifier applications. It utilizes gold metalization and diffused ballasting to provide high reliability and supreme ruggedness.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
23A025
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
22V
- 頻率 - 躍遷:
3.7GHz
- 增益:
6dB ~ 6.3dB
- 功率 - 最大值:
9W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 420mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
1.2A
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
55BT
- 供應(yīng)商器件封裝:
55BT
- 描述:
RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip |
23+ |
20000 |
全新、原裝、現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
Microchip |
21+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開(kāi)票! |
詢價(jià) | |||
MicrochipTechnology |
18+ |
6580 |
ICSRAM1MBIT20MHZ8DIP |
詢價(jià) | |||
ST |
24+ |
56 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | |||
INMET |
2023+ |
Female/Female |
25 |
weinschel 衰減器庫(kù)存大量現(xiàn)貨,歡迎電尋 |
詢價(jià) | ||
Microchip |
21+ |
8PDIP |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Microchip |
22+ |
8PDIP |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
MEAS |
24+ |
TO-8 |
64580 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
GHZ |
23+ |
SMT86 |
5000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道??商峁┐罅繋?kù)存,詳 |
詢價(jià) | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
55BT |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |