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2N5600分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5600
廠商型號(hào)

2N5600

參數(shù)屬性

2N5600 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

封裝外殼

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

115.06 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Savantic, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SAVANTIC

中文名稱

Savantic, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-7 22:29:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N5600

  • 別名:

    2N5600三極管、2N5600晶體管、2N5600晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    2A

  • 最大工作頻率:

    >50MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BD241B,BD579,2SC2528,2SC2529,3DK03D,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-8

  • vtest:

    100

  • htest:

    50000100

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

2N5600規(guī)格書詳情

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Excellent safe operating area

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For high frequency power amplifier ; audio power amplifier and drivers.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N5600

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MOTOROLA/摩托羅拉
專業(yè)鐵帽
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鐵帽原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票
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