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2SD201

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Largecurrentcapability ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·Forpoweramplifierandswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SD201

isc Silicon NPN Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2012

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.)(IC=2A/IB=0.2A) ?Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SD2012

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD2012isasiliconNPNpowertransistorhousedinTO-220Finsulatedpackage.Itisintededforpowerlinearandswitchingapplications. ■HIGHDCCURRENTGAIN ■LOWSATURATIONVOLTAGE ■INSULATEDPACKAGEFOREASYMOUNTING APPLICATIONS ■GENERALPURPOSEPOWERAMPLIFIERS ■G

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2012

NPN Silicon Power Transistors

Features ·HighDCCurrentGain:hFE(1)=100(Min.) ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.) ·HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25OC) ·LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ·EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ·

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2012

TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifierapplications ●HighDCcurrentgain ●Lowsaturationvoltage ●Highpowerdissipation

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SD2012

Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),Hightotalpowerdissipation,complementarypairwith2SB1375. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SD2012

Marking：2SD2012；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES HighDCCurrentGain LowSaturationVoltage HighPowerDissipation

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

晶體管資料

  • 型號：

    2SD201

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    90V

  • 最大電流允許值：

    6A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BD130,BD245C,BDV95,BDX10,BDX95,BDY20,BDY39,2N3055,2N5632,2N5633,3DD63D,

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    90

  • htest：

    999900

  • atest：

    6

  • wtest：

    50

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SD201

  • 制造商：

    SAVANTIC

  • 制造商全稱：

    Savantic, Inc.

  • 功能描述：

    Silicon NPN Power Transistors

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝優(yōu)勢
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更多2SD201供應(yīng)商 更新時間2025-2-27 10:20:00

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