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2SD211

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Largecurrentcapability ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·Forpoweramplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD211

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Largecurrentcapability ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·Forpoweramplifierandswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SD2110

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=80V(Min) ?Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2A ?HighDCCurrentGain :hFE=1000(Min)@IC=2A,VCE=3V APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2111

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1.5A ·HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=1.5A,VCE=3V APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2112

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) ?Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A ?HighDCCurrentGain :hFE=1000(Min)@IC=3A,VCE=3V APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2113

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1.5A ·HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=1.5A,VCE=3V APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2114

Marking：BBV；Package：SOT-23；NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURE ?HighDCCurrentGain. ?HighEmitter-BaseVoltage.VEBO=12V(Min.)

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD2114

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES ?HighDCcurrentgain. ?Highemitter-basevoltage. ?LowVCE(sat).

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2114

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?HighDCcurrentgain. ?Highemitter-basevoltage. ?LowVCE(sat).

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SD2114K

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SD211

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

    BD130,BD311,BDW21A,BDX10,BDY20,BDY39,2N3055,2N5877,2N5878,3DA74A,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-44

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    10

  • wtest：

    100

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SD211

  • 制造商：

    ISC

  • 制造商全稱：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述：

    Silicon NPN Power Transistors

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
24+
TO-3
10000
全新
 詢價(jià)
ISC
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
24+
N/A
64000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
ROHM
17+
SOT252
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ROHM
24+
TO-252
4231
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!
 詢價(jià)
ROHM
23+
TO252
9960
價(jià)格優(yōu)勢(shì)、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來(lái)電查詢
 詢價(jià)
ROHM
23+
原廠封裝
9896
詢價(jià)
羅姆
24+
SOT23
3000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
ROHM
06PB
SOT23/SOT323
2599
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
ROHM
2500
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
更多2SD211供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-27 16:00:00

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