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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) ?L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9m?MAX.(VGS=4V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=6100pFTY | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9m?MAX.(VGS=4V,ID=42A) ●LowCiss:Ciss=6100pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9m?MAX.(VGS=4V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=6100pFTY | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) ?L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) ?L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9m?MAX.(VGS=4V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=6100pFTY | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3431isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) ?L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號:
2SK3431-Z-AZ
- 制造商:
Renesas Electronics
- 功能描述:
Nch 40V 83A 5.6m@10V TO220SMD Bulk
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
21+ |
SOT-263 |
815 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
SOT-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
NEC |
2022 |
SOT-263 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
SOT-263 |
38598 |
鄭重承諾只做原裝進口貨 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
NA/ |
4000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
SOT-263 |
4000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
Renesas |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Renesas |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
TO-263 |
8866 |
詢價 |
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