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3SK293分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

3SK293
廠商型號

3SK293

參數(shù)屬性

3SK293 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 12.5V 800MHZ USQ

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

文件大小

1.58274 Mbytes

頁面數(shù)量

73

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-7 22:30:00

3SK293規(guī)格書詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    3SK293(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    N 通道雙門

  • 頻率:

    800MHz

  • 增益:

    22dB

  • 額定電流(安培):

    30mA

  • 噪聲系數(shù):

    2.5dB

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    USQ

  • 描述:

    FET RF 12.5V 800MHZ USQ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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