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70T659S12BFI集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
70T659S12BFI |
| 參數(shù)屬性 | 70T659S12BFI 封裝/外殼為208-LFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 文件大小 |
431.37 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
29 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-1 10:18:00 |
70T659S12BFI規(guī)格書詳情
Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 10/12ns (max.)
◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
cycles
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆ IDT70T651/9 easily expands data bus width to 72 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Busy and Interrupt Flags
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
70T659S12BFI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
- 存儲(chǔ)容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
12ns
- 電壓 - 供電：
2.4V ~ 2.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
208-LFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
208-CABGA（15x15）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
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