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ATS278Z-PL-B	文件：210.42 Kbytes Page：6 Pages	Two Phase Hall Effect Latch With FG Output GeneralDescription ATS278isanintegratedHallsensorwithtwooutputdriversandrotorspeedoutput,typicallydesignedforelectroniccommutationoftwo-phasebrush-lessDCfanapplications. Features -On-chipHallplate -Operatingvoltage:3.5V~20V -Internalbandgapregulatorallowste	ANACHIPAnachip Corp 易亨易亨電子股份有限公司	ANACHIP
BA278	文件：82.96 Kbytes Page：5 Pages	Band-switchingdiode DESCRIPTION Planarhighperformanceband-switchingdiodeinasmallplasticSOD523VSMDpackage. FEATURES ?SmallplasticSMDpackage ?Continuousreversevoltage:max.35V ?Continuousforwardcurrent:max.100mA ?Lowdiodecapacitance:max.1.2pF ?Lowdiodeforwardresistance:max.0	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BA278	文件：88.77 Kbytes Page：5 Pages	Band-switchingdiode FEATURES ?SmallplasticSMDpackage ?Continuousreversevoltage:max.35V ?Continuousforwardcurrent:max.100mA ?Lowdiodecapacitance:max.1.2pF ?Lowdiodeforwardresistance:max.0.7Ω. APPLICATIONS ?LowlossbandswitchinginVHFtelevisiontuners. ?Surfacemountband-sw	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF278	文件：129.62 Kbytes Page：3 Pages	VHPpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION Dualpush-pullsiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorencapsulatedina4-lead,SOT262A1balancedflangepackagewithtwoceramiccaps.Themountingflangeprovidesthecommonsourceconnectionforthetransistors. FEATURES ?Highpowergain ?Easypowercontr	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BLF278	文件：103.27 Kbytes Page：7 Pages	VHFPOWERMOSFET DESCRIPTION: TheASIBLF278isaDualCommonSourceN-ChannelEnhancementModeMOSFETRFPowerTransistor,Designedfor175MHz,300WTransmitterandAmplifierApplications.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
BLF278	文件：179.2 Kbytes Page：21 Pages	VHFpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION Dualpush-pullsiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorencapsulatedina4-lead,SOT262A1balancedflangepackagewithtwoceramiccaps.Themountingflangeprovidesthecommonsourceconnectionforthetransistors. FEATURES ?Highpowergain ?Easypowercontr	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BY278	文件：52.07 Kbytes Page：7 Pages	Damperdiode DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. FEATURES ?Glasspassivated ?Highmaximumoperatingtemperature ?Lowleakagecurrent ?Excellen	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
CMD278	文件：230.5 Kbytes Page：12 Pages	8-12GHzGaNLowNoiseAmplifier	MMIC Custom MMIC Design Services, Inc.	MMIC
D278S	文件：45.7 Kbytes Page：8 Pages	Control/Communicators	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
ES278	文件：637.99 Kbytes Page：25 Pages	4000CountsManualDMM	CYRUSTEKCyrustek corporation 承永科技承永資訊科技股份有限公司	CYRUSTEK
HC-278	文件：358.21 Kbytes Page：6 Pages	HybridAssembliesOPTICRECEIVERMODULES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
HC-278M	文件：358.21 Kbytes Page：6 Pages	HybridAssembliesOPTICRECEIVERMODULES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
HSB278S	文件：78.1 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector Features ?Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. ?CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSB278S	文件：29.39 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforHighSpeedSwitching Features ?Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. ?CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSC278	文件：71.6 Kbytes Page：7 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Features ?Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. ?UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSC278	文件：142.27 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector Features ?Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. ?UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSD278	文件：162.98 Kbytes Page：7 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSD278	文件：26.8 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSD278	文件：142.9 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSD278KRF-E	文件：162.98 Kbytes Page：7 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細參數(shù)

型號：
ATS278Z-PL-B
制造商：
ANACHIP
制造商全稱：
Anachip Corp
功能描述：
Two Phase Hall Effect Latch With FG Output

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	ATS278Z-PL-B	ANACHIP	23+	原廠原包	19960	只做進口原裝終端工廠免費送樣	詢價
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深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	ATS2800	STA	21+	QFP48	7731	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	ATS2800	STA	22+	QFP48	32350	原裝正品假一罰十公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	ATS2800	STA	23+	QFP	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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更多ATS278Z-PL-B供應(yīng)商更新時間2024-11-15 17:00:00

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