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BD501B中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BD501B
廠商型號(hào)

BD501B

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistors

文件大小

109.89 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-25 13:01:00

BD501B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 50V(Min)

80V(Min)

·High Power Dissipation

APPLICATIONS

·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BD501B

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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