BD539B分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BD539B |
參數屬性 | BD539B 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 80V 5A TO220 |
功能描述 | isc Silicon NPN Power Transistor |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
249.79 Kbytes |
頁面數量 |
2 頁 |
生產廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導體股份有限公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-1-8 18:15:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
BD539B三極管、BD539B晶體管、BD539B晶體三極管
- 生產廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質:
低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
80V
- 最大電流允許值:
5A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數:
3
- 可代換的型號:
BD243B,BD543B,BD599,3DD64C,
- 最大耗散功率:
45W
- 放大倍數:
- 圖片代號:
B-10
- vtest:
80
- htest:
999900
- atest:
5
- wtest:
45
產品屬性
- 產品編號:
BD539B-S
- 制造商:
Bourns Inc.
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.5V @ 1A,5A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
300μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
12 @ 3A,4V
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應商器件封裝:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN 80V 5A TO220
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
1979+ |
120 |
原裝正品現貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
POWER |
22+ |
TO220 |
5623 |
只做原裝正品現貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
NXP |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
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詢價 | ||
P |
23+ |
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23+ |
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ST |
23+ |
TO-220 |
16900 |
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ST |
22+ |
TO-220 |
16900 |
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24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
NXP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一級代理商現貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 |