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BD649中文資料COMSET數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BD649
廠商型號

BD649

參數(shù)屬性

BD649 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

功能描述

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

文件大小

112.31 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-18 14:42:00

晶體管資料

  • 型號:

    BD649

  • 別名:

    BD649三極管、BD649晶體管、BD649晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大(LF)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,BDX53C,FD50B,

  • 最大耗散功率:

    62.5W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    62.5

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BD649-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 50mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
22+
TO-220
25000
絕對全新原裝現(xiàn)貨
詢價
ST/意法
23+
NA/
3330
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
詢價
NXP/恩智浦
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
詢價
FSC
19+
TO-220F
65973
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
詢價
BOURNS/伯恩斯
2020+
NA
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價
ST
20+
TO-220
38560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
FAIRCHILD
23+
TO-220
1
詢價
ST/意法
22+
TO-220
50000
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢
詢價
TI
2020+
TO-220
5000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
詢價
ST
2119+
TO-220
50
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價