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BF1109WR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BF1109WR
廠商型號(hào)

BF1109WR

參數(shù)屬性

BF1109WR 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4

功能描述

N-channel dual-gate MOS-FETs

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

文件大小

371.77 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 22:30:00

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BF1109WR規(guī)格書詳情

FEATURES

? Short channel transistor with high

forward transfer admittance to input

capacitance ratio

? Low noise gain controlled amplifier

up to 1 GHz

? Internal self-biasing circuit to

ensure good cross-modulation

performance during AGC and good

DC stabilization.

APPLICATIONS

? VHF and UHF applications with 9 V

supply voltage, such as television

tuners and professional

communications equipment.

DESCRIPTION

Enhancement type N-channel

field-effect transistor with source and

substrate interconnected. Integrated

diodes between gates and source

protect against excessive input

voltage surges. The BF1109,

BF1109R and BF1109WR are

encapsulated in the SOT143B,

SOT143R and SOT343R plastic

packages respectively.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BF1109WR,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    N 通道雙門

  • 頻率:

    800MHz

  • 增益:

    20dB

  • 額定電流(安培):

    30mA

  • 噪聲系數(shù):

    1.5dB

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CMPAK-4

  • 描述:

    MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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