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BQ2026DBZR集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ2026DBZR
廠商型號

BQ2026DBZR

參數(shù)屬性

BQ2026DBZR 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC EPROM 1.5KBIT SGL WIRE SOT23

功能描述

1.5K-Bit Serial EPROM With SDQ Interface
IC EPROM 1.5KBIT SGL WIRE SOT23

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

654.47 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

德州儀器官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 11:28:00

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BQ2026DBZR規(guī)格書詳情

BQ2026DBZR屬于集成電路(IC)的存儲器。由德州儀器制造生產(chǎn)的BQ2026DBZR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BQ2026DBZR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    EPROM

  • 技術(shù):

    EPROM - OTP

  • 存儲容量:

    1.5Kb(32 字節(jié) x 6 頁)

  • 存儲器接口:

    單線

  • 電壓 - 供電:

    2.65V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -20°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    IC EPROM 1.5KBIT SGL WIRE SOT23

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