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CED11P20中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CED11P20
廠商型號(hào)

CED11P20

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

679.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-27 18:51:00

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CED11P20規(guī)格書詳情

FEATURES

-200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36W @VGS = -10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

Comparable to AEC-Q101.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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