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CED6086	文件：416.11 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=8.7mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED6086	文件：641.52 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=8.7mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6086	文件：635.49 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,12A,RDS(ON)=11.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6086	文件：412.78 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM6086L	文件：412.89 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,12A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP6086	文件：633.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,70A,RDS(ON)=9.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6086	文件：418.87 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,70A,RDS(ON)=9.2mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP6086L	文件：440.36 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,72A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. RDS(ON)=13.5mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP6086L	文件：1.68162 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEP6086L	文件：666.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,72A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=13.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6086	文件：641.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=8.7mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6086	文件：416.11 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=8.7mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
NTE6086	文件：18.46 Kbytes Page：2 Pages	SiliconDualSchottkyRectifier Description: TheNTE6086isasilicondualpowerrectifierinaTO220typepackagedesignedusingtheSchottky Barrierprinciplewithaplatinumbarriermetal. Features: 20AmpsTotal(10AmpsPreDiodeLeg) GuardingforStressProtection LowForwardVoltage +150°COperating	NTE NTE Electronics	NTE
PE6086	文件：420.28 Kbytes Page：4 Pages	0.5WattRFLoadwithChainUpto40GHzwith2.92mmMalePassivatedStainlessSteel	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
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R6086YNZ	文件：2.34897 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V40mohm(typ.)PowerMOSFET Features 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Drivecircuitscanbesimple 4)Pb-freeplating;RoHScompliant 5)Halogenfreemoldcompound Application Switchingapplications	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RJH6086BDPK	文件：100.2 Kbytes Page：8 Pages	600V-45A-IGBTHighSpeedPowerSwitching Features ?Ultrahighspeedswitching tf=36nstyp.(atIC=30A,VCC=300V,VGE=15V,Rg=5Ω,InductiveLoad) ?Lowon-statevoltage ?Fastrecoverydiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
SG-BGA-6086	文件：57.58 Kbytes Page：3 Pages	Ballguidepreventsovercompressionofelastomer	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
SS6086	文件：514.58 Kbytes Page：7 Pages	1.5ALowDropoutPositiveRegulator	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
TEW6086	文件：36.52 Kbytes Page：1 Pages	ADSLInput/OutputTransformer	FILTRANFILTRAN Group 費(fèi)爾蘭特	FILTRAN

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市鵬和科技有限公司	CED6086	VBsemi	24+	TO-252	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CED6086	CET/華瑞	2022+	TO-251	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢(xún)價(jià)
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深圳市宏興瑞科技有限公司	CED6086	VBsemi	23+	原裝正品現(xiàn)貨	10000	TO251	詢(xún)價(jià)

更多CED6086供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 10:20:00

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