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CY7C1650KV18-450BZC

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

FunctionalDescription TheCY7C1648KV18,andCY7C1650KV18are1.8-VsynchronouspipelinedSRAMsequippedwithDDRII+architecture.TheDDRII+consistsofanSRAMcorewithadvancedsynchronousperipheralcircuitry. Features ■144-Mbitdensity(8M×18,4M×36) ■450-MHzclockforhighban

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C1650KV18-450BZC

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

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CY7C1650KV18-450BZC

包裝：托盤 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY7C1650KV18-450BZC

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 同步，DDR II+

  • 存儲容量：

    144Mb（4M x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應商器件封裝：

    165-FBGA（15x17）

  • 描述：

    IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

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更多CY7C1650KV18-450BZC供應商 更新時間2024-12-30 10:03:00

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