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EFC2J004NUZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料
![EFC2J004NUZ](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號(hào) |
EFC2J004NUZ |
參數(shù)屬性 | EFC2J004NUZ 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL |
功能描述 | Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection 12 V, 7.1 m廓, 14 A, Dual N-Channel |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | WLCSP6 |
文件大小 |
313.5 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-11 10:28:00 |
EFC2J004NUZ規(guī)格書詳情
EFC2J004NUZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的EFC2J004NUZ晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時(shí)使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
EFC2J004NUZTDG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 包裝:
卷帶(TR)
- 描述:
MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
30000 |
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ON(安森美) |
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onsemi(安森美) |
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ON/安森美 |
23+ |
SMD |
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ON/安森美 |
2023+ |
WLCSP-6 |
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