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EMD04N60CSK	文件：200.82 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)3.3Ω ID4A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD04N60F	文件：173.65 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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H04N60E	文件：60.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H04N60F	文件：60.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
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