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BAP51-03

GeneralpurposePINdiode

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BAP51-03

GeneralpurposePINdiode

DESCRIPTION GeneralpurposePINdiodeinaSOD323smallplasticSMDpackage. FEATURES ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance. APPLICATIONS ?GeneralRFapplications.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BAP51-03

GeneralpurposePINdiode

Features ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BAP51-03

GeneralpurposePINdiode

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

BAP51-03

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BBY51-03W

SiliconTuningDiode(HighQhyperabrupttuningdiodeDesignedforlowtuningvoltageoperation)

SiliconTuningDiode ●HighQhyperabrupttuningdiode ●Designedforlowtuningvoltageoperation ●ForVCOsinmobilecommunicationsequipment

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BBY51-03W

SiliconTuningDiode

SiliconTuningDiode ?HighQhyperabrupttuningdiode ?Designedforlowtuningvoltageoperation ?ForVCO'sinmobilecommunicationsequipment ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BBY51-03W

SiliconTuningDiode

SiliconTuningDiode ?HighQhyperabrupttuningdiode ?Designedforlowtuningvoltageoperation ?ForVCOsinmobilecommunicationsequipment ?Pb-free(RoHScompliant)package

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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FUJI/富士電機
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更多ERE51-03供應商 更新時間2025-2-27 11:30:00

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