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FDD86367

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDD86367

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=80V,ID=95A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD86367

N-Channel PowerTrench MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDD86367_F085

Automotive Engine Control

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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D-PAK(TO-252)
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ON/安森美
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更多FDD86367供應(yīng)商 更新時間2025-2-27 17:28:00