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FQI4N80TU	文件：801.37 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP4N80	文件：650.65 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP4N80	文件：302.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQPF4N80	文件：639.8 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HLDF4N80	文件：862.22 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HLDF4N80	文件：862.22 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司	HUILIDA
IXTA4N80P	文件：299.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTA4N80P	文件：178.89 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP4N80P	文件：295.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP4N80P	文件：178.89 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS4N80C	文件：1.04895 Mbytes Page：11 Pages	Switchedmodepowersuppliesy	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N80CC-O-C-N-B	文件：1.04895 Mbytes Page：11 Pages	Switchedmodepowersuppliesy	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N80CH-O-C-N-B	文件：1.01851 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N80FC-O-F-N-B	文件：1.04895 Mbytes Page：11 Pages	Switchedmodepowersuppliesy	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N80FH-O-F-N-B	文件：1.01851 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N80H	文件：1.01851 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N80RC-O-R-N-B	文件：1.04895 Mbytes Page：11 Pages	Switchedmodepowersuppliesy	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N80VC-O-V-N-B	文件：1.04895 Mbytes Page：11 Pages	Switchedmodepowersuppliesy	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
KF4N80F	文件：1.28966 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
KF4N80F	文件：389.87 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=800V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQI4N80TU
功能描述：
MOSFET 800V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	FQI4N80TU	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-262	8950	BOM配單專(zhuān)家,發(fā)貨快,價(jià)格低	詢(xún)價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FQI4N80TU	onsemi	24+	I2PAK(TO-262)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQI4N80TU	onsemi(安森美)	23+	I2PAK(TO-262)	8498	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢(xún)價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	FQI4N80TU	ONSemiconductor	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190	詢(xún)價(jià)
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQI4N80TU	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來(lái)電咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	FQI4N80TU	FAIRCHILD	22+23+	TO-262	11779	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市納立科技有限公司	FQI4N80TU		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	FQI4N80TU	FSC進(jìn)口原	2020+	TO-262	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢(xún)價(jià)
深圳市歐亞佳電子有限公司	FQI4N80TU	ON	20+	SMD	11520	特價(jià)全新原裝公司現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	FQI4N80TU	ON/安森美	24+	SMD	1000	原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)

更多FQI4N80TU供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 16:36:00

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