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G10M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in D2PAK package

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGB10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinD2PAKpackage

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STGB10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alowloss

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STGF10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinTO-220FPpackage

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STGP10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alowloss

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STGW10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alowloss

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更多G10M65DF2供應商 更新時間2025-1-24 18:26:00

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