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G10N03S中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

G10N03S
廠商型號(hào)

G10N03S

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G10N03

封裝外殼

SOP-8

文件大小

1.10788 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-17 20:00:00

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G10N03S規(guī)格書詳情

Description

The G10N03S uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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