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GT10J312

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT10J312

SILICONNCHANNELIGBTHIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT10J312

NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS)

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS MOTORCONTROLAPPLICATIONS ●Third-generationIGBT ●Enhancementmodetype ●Highspeed:tf=0.30μs(Max.) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(Max.) ●FRDincludedbetweenemitterandcollector

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GT10J312-SM(Q)

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

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更多GT10J312-SM(Q)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-27 16:28:00

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