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LM8365

MicropowerUndervoltage-SensingCircuit

TI1Texas Instruments

德州儀器

LM8365

MicropowerUndervoltageSensingCircuitswithProgrammableOutputDelay

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LT8365

Four-ChannelTransimpedanceAmplifierwithOutputMultiplexing

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

LT8365

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

LT8365EMSE#PBF

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

LT8365EMSE#TRPBF

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

LT8365EMSE#WPBF

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

LT8365EMSE#WTRPBF

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

LT8365HMSE#PBF

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

LT8365HMSE#TRPBF

LowIQBoost/SEPIC/InvertingConverterwith1.5A,150VSwitch

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    H8365KBDBR

  • 功能描述:

    金屬膜電阻器 - 透孔 H8 0.1% 1/4W 365K

  • RoHS:

  • 制造商:

    IRC

  • 電阻:

    63.4 kOhms

  • 容差:

    1 %

  • 功率額定值:

    100 mW

  • 電壓額定值:

    200 V

  • 溫度系數(shù):

    100 PPM/C

  • 端接類型:

    Axial

  • 尺寸:

    2.3 mm Dia. x 6.4 mm L

  • 封裝:

    Bulk

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多H8365KBDBR供應商 更新時間2025-2-27 15:00:00