HN3C10FUTE85LF_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻-Toshiba Semiconductor and Storage

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  • 廠家型號:

    HN3C10FUTE85LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 庫存數(shù)量:

    101

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻

  • 封裝外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 更新時間:

    2021-9-14 10:50:00

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原廠料號:HN3C10FUTE85LF品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明:RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

HN3C10FUTE85LF是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝6-TSSOP,SC-88,SOT-363的HN3C10FUTE85LF晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號:

    hn3c10fute85lf

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 資料說明:

    RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    HN3C10FUTE85LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 20mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應商器件封裝:

    US6

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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