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HY62256ALP-I中文資料ETC數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HY62256ALP-I
廠商型號

HY62256ALP-I

功能描述

DRAM & SRAM MEMORY

文件大小

795.97 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 List of Unclassifed Manufacturers
企業(yè)簡稱

ETC

中文名稱

未分類制造商

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-18 23:00:00

HY62256ALP-I規(guī)格書詳情

[HYUNDAI]

32Kx8bit CMOS SRAM

Description

The HY62256A/HY62256A-I is a high-speed, low power and 32,786 x 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hyundais high performance CMOS process technology. The HY62256A/HY62256A-I has a data retention mode that guarantees data to remain valid at the minimum power supply voltage of 2.0 volt. Using the CMOS technology, supply voltages from 2.0 to 5.5 volt has little effect on supply current in the data retention mode. The HY62256A/HY62256A-I is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application.

Features

● Fully static operation and Tri-state outputs

● TTL compatible inputs and outputs

● Low power consumption

-2.0V(min.) data retention

● Standard pin configuration

-28 pin 600 mil PDIP

-28 pin 330 mil SOP

-28 pin 8x13.4 mm TSOP-1

(standard and reversed)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HY62256ALP-I

  • 制造商:

    HYNIX

  • 制造商全稱:

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述:

    32Kx8bit CMOS SRAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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