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IDW40G65C5

SiCSiliconCarbideDiode

1Description ThinQ!?Generation5representsInfineonleadingedgetechnologyfortheSiC SchottkyBarrierdiodes.Thankstothemorecompactdesignandthin-wafer technology,thenewfamilyofproductsshowsimprovedefficiencyoverallload conditions,resultingfromboththeimprovedtherm

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDW40G65C5

650VSiCthinQ!??Generation5diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDW40G65C5B

SiliconCarbideSchottkyDiode

FEATURES ·Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ·Highsurgecurrentcapability ·Optimizedforhightemperatureoperation ·Benchmarkswitchingbehavior ·Noreverserecovery APPLICATIONS ·Solarinverter ·Powerfactorcorrection ·Switchmodepowersupply

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IDW40G65C5B

650VSiCSchottkyDiode

InfineonInfineon Technologies AG

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更多IDW40G65C5IC供應商 更新時間2025-2-27 11:01:00

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