X-FAB推出全新嵌入式閃存與EEPROM組合IP，提升數(shù)據(jù)保持能力與運(yùn)行可靠性
中國(guó)北京，2024年12月5日——全球領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（X-FAB）近日發(fā)布了一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)（NVM）領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)。基于其成熟的高壓BCD-on-SOI XT011平臺(tái)（110nm工藝節(jié)點(diǎn)），X-FAB推出了一款全新的嵌入式存儲(chǔ)IP，包含32kByte的閃存與4Kbit的EEPROM，并滿足AEC-Q100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)要求。未來(lái)計(jì)劃還包括推出更大容量的64kByte和128kByte閃存，以及更大存儲(chǔ)空間的EEPROM，預(yù)計(jì)2025年面世。
這款創(chuàng)新IP通過(guò)將閃存與EEPROM元件集成在同一宏單元內(nèi)，優(yōu)化了控制電路的共享設(shè)計(jì)，大幅減少了芯片面積占用。同時(shí)，這一解決方案支持高達(dá)175°C的工作溫度，為32kByte存儲(chǔ)提供了全新行業(yè)標(biāo)桿。
技術(shù)亮點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)
高溫?cái)?shù)據(jù)訪問(wèn)與寫(xiě)入能力
閃存支持在-40°C至175°C范圍內(nèi)讀取數(shù)據(jù)。
EEPROM支持在高達(dá)175°C的溫度下寫(xiě)入數(shù)據(jù)，適用于頻繁寫(xiě)入的應(yīng)用場(chǎng)景。
在極端溫度條件下，EEPROM可作為緩存使用，當(dāng)溫度恢復(fù)至125°C以下時(shí)再將數(shù)據(jù)寫(xiě)入閃存，從而提升整體耐用性與靈活性。
高可靠性與數(shù)據(jù)完整性
閃存采用8位ECC（錯(cuò)誤檢查與糾正），EEPROM采用14位ECC，確保零PPM誤差性能。
出色的穩(wěn)健性和持續(xù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)完整性，使其能夠滿足汽車(chē)、醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域的嚴(yán)苛需求。
節(jié)省空間與優(yōu)化設(shè)計(jì)
通過(guò)將閃存與EEPROM元件集成到單一宏單元內(nèi)，顯著減少了芯片面積占用。
專(zhuān)用電路設(shè)計(jì)支持更高效的存儲(chǔ)訪問(wèn)與測(cè)試，縮短測(cè)試時(shí)間并降低相關(guān)成本。
設(shè)計(jì)靈活性與支持
提供64位總線接口，支持高邏輯密度應(yīng)用開(kāi)發(fā)。
可選BIST模塊（內(nèi)建自測(cè)試）和測(cè)試服務(wù)，進(jìn)一步簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與驗(yàn)證流程。
應(yīng)用場(chǎng)景與未來(lái)展望
X-FAB的這款嵌入式NVM IP專(zhuān)為需要高可靠性與高溫穩(wěn)定性的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)而開(kāi)發(fā)，適用于汽車(chē)電子、醫(yī)療設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域。其創(chuàng)新的存儲(chǔ)架構(gòu)和高效的數(shù)據(jù)管理能力為智能傳感器、執(zhí)行器以及下一代嵌入式CPU系統(tǒng)（包括ARM、RISC-V及客戶定制設(shè)計(jì)）提供了更廣泛的功能支持。
“通過(guò)我們的專(zhuān)有SONOS技術(shù)，這款NVM IP為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了卓越的數(shù)據(jù)保持能力與溫度穩(wěn)定性，”X-FAB NVM開(kāi)發(fā)總監(jiān)Thomas Ramsch表示，“將閃存與EEPROM元件集成到單一宏單元的設(shè)計(jì)，使得這一解決方案能夠應(yīng)對(duì)極端工作條件，樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿?！?/p>
X-FAB NVM解決方案技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Nando Basile補(bǔ)充道：“憑借更小的芯片占用面積與更快的存儲(chǔ)訪問(wèn)速度，這款NVM組合IP將在高邏輯密度應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用，助力客戶開(kāi)發(fā)功能更強(qiáng)大的智能系統(tǒng)?！?/p>
術(shù)語(yǔ)解釋
BCD：雙極型晶體管-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Bipolar-CMOS-DMOS）
NVM：非易失性存儲(chǔ)（Non-Volatile Memory）
BIST：內(nèi)建自測(cè)試（Build-In Self-Test）
DFT：可測(cè)性設(shè)計(jì)（Design for Testability）
ECC：錯(cuò)誤檢查與糾正（Error Checking and Correcting）
EEPROM：電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）
PPM：百萬(wàn)分率（Parts Per Million）
SOI：絕緣體上硅（Silicon On Insulator）
SONOS：硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）
通過(guò)此次發(fā)布，X-FAB展示了其在非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，并為客戶提供了更高效、更可靠的嵌入式存儲(chǔ)解決方案。未來(lái)，X-FAB將繼續(xù)推動(dòng)嵌入式系統(tǒng)的創(chuàng)新發(fā)展，為各行業(yè)帶來(lái)更多高性能產(chǎn)品。
