IRF450中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF450規(guī)格書詳情
This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits
Features
? 13A, 500V
? rDS(ON) = 0.400?
? Single Pulse Avalanche Energy Rated
? SOA is Power Dissipation Limited
? Nanosecond Switching Speeds
? Linear Transfer Characteristics
? High Input Impedance
? Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF450
- 功能描述：
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
6050 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
23+ |
原廠封裝 |
9888 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | |||
IR |
22+23+ |
TO-3P |
44679 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
TO-3 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
IOR |
23+ |
CAN |
3000 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
IR |
QQ咨詢 |
CAN |
832 |
全新原裝 研究所指定供貨商 |
詢價 | ||
HAR/IR |
24+ |
TO-3 |
234 |
詢價 | |||
IOR |
新 |
9 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-3 |
9750 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-3 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 |
