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IRF520NLPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF520NLPBF
廠商型號(hào)

IRF520NLPBF

功能描述

Advamced {rpcess Technology Surface Mount

文件大小

405.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IRF

中文名稱(chēng)

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 17:46:00

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IRF520NLPBF規(guī)格書(shū)詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

? Advanced Process Technology

? Surface Mount (IRF520NS)

? Low-profile through-hole (IRF520NL)

? 175°C Operating Temperature

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF520NLPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶(hù)至上/歡迎廣大客戶(hù)來(lái)電查詢(xún)
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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