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IRF7403TR中文資料友臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7403TR
廠商型號

IRF7403TR

功能描述

Generation VTechology

文件大小

434.59 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-3 19:10:00

IRF7403TR規(guī)格書詳情

Generation VTechology

Ultra Low On-Resistance NChannelMosfet

Surface Mount

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Lead-Free

Features

Description

The SOP-8 has been modified throuah a customized leadframe

for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability

making it ideal in a variety of power applications. With these improvements,

multiple devices can be used in an application with

dramatically reduced board space.The package is designed for

vapor phase. infra red. or wave so derina techniaues.Power dissipation

of qreater than 0.8W is possible in a typical PCB mount

application.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7403TR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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