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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRGB15B60KDPBF	文件：821.1 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyfor	IRF International Rectifier	IRF
IRGB15B60KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 31A 208W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AOB15B60D	文件：606.9 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOK15B60D	文件：663.26 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOT15B60D	文件：658.58 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF15B60D	文件：664.05 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
IRGB15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransien	IRF International Rectifier	IRF
IRGS15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransien	IRF International Rectifier	IRF
IRGS15B60KDPBF	文件：821.1 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyfor	IRF International Rectifier	IRF
IRGS15B60KDPBF	文件：830.08 Kbytes Page：16 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGS15B60KPBF	文件：264.6 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRGS15B60KPBF	文件：264.6 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransien	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL15B60KDPBF	文件：821.1 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyfor	IRF International Rectifier	IRF

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IRGB15B60KDPBF
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
開關(guān)能量：
220μJ（開），340μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
34ns/184ns
測(cè)試條件：
400V，15A，22 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 31A 208W TO220AB

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市龍瀚電子有限公司	IRGB15B60KDPBF	IR	16+/17+	TO-220	3500	原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)56	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	IRGB15B60KDPBF	IR	2020+	TO-220	8000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市珩瑞科技有限公司	IRGB15B60KDPBF	IR	21+	TO-220	6000	原裝正品	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRGB15B60KDPBF	IR	2021+	TO-220	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市桐芯微電子有限公司	IRGB15B60KDPBF	INFINEON/英飛凌	22+	TO-220	4800	專營(yíng)INFINEON/英飛凌全新原裝進(jìn)口正品	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRGB15B60KDPBF	IR	24+	TO-220AB	835		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRGB15B60KDPBF	IR	23+	TO-220AB	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRGB15B60KDPBF	IR	17+	TO-220	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRGB15B60KDPBF	IR	2020+	TO220	2273	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRGB15B60KDPBF	Infineon	18+	NA	3623	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)

更多IRGB15B60KDPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-25 10:18:00

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