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JAN1N1190

Military Silicon Power Rectifier

HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 ?GlassPassivatedDie ?GlasstoMetalSealConstruction ?500AmpsSurgeRating ?VRRMto1000Volts

MicrosemiMicrosemi Corporation

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JAN1N1190

Package：DO-203AB，DO-5，接線柱；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

JAN1N1190R

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JANTX1N1190

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USAF1N1190

GERMANIUMPNPTRANSISTORS

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etc未分類制造商未分類制造商

VS-1N1190

PowerSiliconRectifierDiodes,35A,40A,60A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VS-1N1190A

PowerSiliconRectifierDiodes,(StudVersion),35A,40A,60A

FEATURES ?Lowleakagecurrentseries ?Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    JAN1N1190

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/297

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    35A

  • 速度：

    標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    底座，接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-203AB，DO-5，接線柱

  • 供應商器件封裝：

    DO-5

  • 工作溫度 - 結：

    -65°C ~ 175°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多JAN1N1190供應商 更新時間2025-1-17 13:52:00

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