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M29W800DB70ZE6E集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

M29W800DB70ZE6E
廠商型號

M29W800DB70ZE6E
參數(shù)屬性

M29W800DB70ZE6E 封裝/外殼為48-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
功能描述

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
封裝外殼

48-TFBGA
文件大小

651.39 Kbytes
頁面數(shù)量

41 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-27 22:30:00
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M29W800DB70ZE6E規(guī)格書詳情

The M29W800D is a 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply.

On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same way as a ROM or EPROM.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    M29W800DB70ZE6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    8Mb（1M x 8，512K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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