MBR115P中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
MBR115P |
| 功能描述 | AXIAL LEAD RECTIFIERS |
| 文件大小 |
133.83 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-27 19:27:00 |
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MBR115P規(guī)格書詳情
AXIAL LEAD RECTIFIERS
. . . employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial consrjction with oxide passivation and metal overlap contact.
Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.
? Extremely Low VF
? Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction
? Low Power Loss/High Efficiency
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
SOT143 |
21 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
ON |
07+ |
SOT143 |
21 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
GeneSiC Semiconductor |
21+ |
Twin Tower |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
6000 |
詢價(jià) | |||||
MOTOROLA |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
GeneSiC Semiconductor |
23+ |
Twin Tower |
9000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+23+ |
SOD-123 |
30249 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
GeneSiC Semiconductor |
22+ |
Twin Tower |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
ON |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) |
