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MBR360G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

MBR360G
廠商型號

MBR360G

參數(shù)屬性

MBR360G 封裝/外殼為DO-201AA,DO-27,軸向;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD

功能描述

Axial Lead Rectifiers
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD

文件大小

168.5 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-5 23:00:00

MBR360G規(guī)格書詳情

MBR360G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MBR360G二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實(shí)現(xiàn)該功能的一個實(shí)例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨(dú)列在各自的產(chǎn)品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area

metal?to?silicon power diode. State?of?the?art geometry features

epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap

contact. Ideally suited for use as rectifiers in low?voltage,

high?frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity

protection diodes.

Features

? Extremely Low vF

? Low Power Loss/High Efficiency

? Highly Stable Oxide Passivated Junction

? Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction

? Pb?Free Packages are Available*

Mechanical Characteristics:

? Case: Epoxy, Molded

? Weight: 1.1 Gram (Approximately)

? Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal

Leads are Readily Solderable

? Lead Temperature for Soldering Purposes:

260?C Max. for 10 Seconds

? Polarity: Cathode indicated by Polarity Band

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MBR360G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    DO-201AA,DO-27,軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    軸向

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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