首頁>MGD623N>詳情

MGD623N 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 SANKEN/三墾

MGD623N參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MGD623N品牌：Sanken

本公司只售原裝 支持實單

MGD623N是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Sanken生產(chǎn)封裝TO3P/TO-3P-3 整包的MGD623N晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    MGD623N

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    SANKEN【三墾】詳情

  • 廠商全稱：

    Sanken electric

  • 中文名稱：

    三墾電氣株式會社

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    233.96 kb

  • 資料說明：

    IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MGD623N

  • 制造商：

    Sanken

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，50A

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    75ns/300ns

  • 測試條件：

    300V，50A，39 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 50A 150W TO3P

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市吉銘電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    廖小姐

  • 手機：

    13310877445

  • 詢價：
  • 電話：

    13310877445

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心1303

相近型號