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MJE4353G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE4353G
廠商型號

MJE4353G
參數(shù)屬性

MJE4353G 封裝/外殼為TO-218-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 160V 16A SOT93
功能描述

High-Voltage - High Power Transistors
TRANS PNP 160V 16A SOT93
封裝外殼

TO-218-3
文件大小

138.54 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-27 14:53:00
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MJE4353G規(guī)格書詳情

MJE4353G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MJE4353G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

High-Voltage - High Power Transistors

. . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits.

Features

? High Collector?Emitter Sustaining Voltage ?

NPN PNP

VCEO(sus) = 160 Vdc ? MJE4343 MJE4353

? High DC Current Gain ? @ IC = 8.0 Adc hFE = 35 (Typ)

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC

= 8.0 Adc

? These are Pb?Free Devices

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    MJE4353G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3.5V @ 2A，16A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    750μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 8A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    1MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-218-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-93

  • 描述：

    TRANS PNP 160V 16A SOT93

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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