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MMBR5179LT1

RF&MICROWAVETRANSISTORS

DESCRIPTION TheMMBR5179LT1isalownoise,highgain,discretesiliconbipolartransistorshousedinlowcostplasticpackages. KEYFEATURES ?HighFTau-1.4GHz ?Lownoise-4.5dB@200MHz ?LowcostSOT23package APPLICATIONS/BENEFITS ?LNA,Oscillator,Pre-Driver

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MMBR5179LT1

RFAMPLIFIERTRANSISTORNPNSILICON

TheRFLine NPNSiliconHigh-FrequencyTransistor Designedforsmall–signalamplificationatfrequenciesto500MHz.Specificallypackagedforuseinthickandthin–filmcircuitsusingsurfacemountcomponents. ?HighGain—Gpe=15dBTyp@f=200MHz ?LowNoise—NF=4.5dBTyp@f=200

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MMBR5179LT1G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-27 16:12:00

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