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MRF327分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF327
廠商型號

MRF327

參數(shù)屬性

MRF327 封裝/外殼為316-01;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 33V 316-01

功能描述

NPN Silicon RF Power Transistor

封裝外殼

316-01

文件大小

89.69 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-26 20:41:00

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MRF327規(guī)格書詳情

The RF Line

NPN Silicon RF Power Transistor

. . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 100 to 500 MHz frequency range.

? Guaranteed Performance @ 400 MHz, 28 Vdc

Output Power = 80 Watts over 225 to 400 MHz Band

Minimum Gain = 7.3 dB @ 400 MHz

? Built–In Matching Network for Broadband Operation Using Double Match

Technique

? 100 Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

? Gold Metallization System for High Reliability Applications

? Characterized for 100 to 500 MHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF327

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    33V

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    80W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    9A

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    316-01

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    316-01,1 型

  • 描述:

    RF TRANS NPN 33V 316-01

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