MRF327分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
MRF327 |
參數(shù)屬性 | MRF327 封裝/外殼為316-01;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 33V 316-01 |
功能描述 | NPN Silicon RF Power Transistor |
封裝外殼 | 316-01 |
文件大小 |
89.69 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-26 20:41:00 |
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MRF327規(guī)格書詳情
The RF Line
NPN Silicon RF Power Transistor
. . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 100 to 500 MHz frequency range.
? Guaranteed Performance @ 400 MHz, 28 Vdc
Output Power = 80 Watts over 225 to 400 MHz Band
Minimum Gain = 7.3 dB @ 400 MHz
? Built–In Matching Network for Broadband Operation Using Double Match
Technique
? 100 Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
? Gold Metallization System for High Reliability Applications
? Characterized for 100 to 500 MHz
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MRF327
- 制造商:
MACOM Technology Solutions
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
33V
- 增益:
9dB
- 功率 - 最大值:
80W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 4A,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
9A
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
316-01
- 供應(yīng)商器件封裝:
316-01,1 型
- 描述:
RF TRANS NPN 33V 316-01
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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