MRF373分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRF373 |
| 參數(shù)屬性 | MRF373 封裝/外殼為NI-360；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 70V 860MHZ NI-360 |
| 功能描述 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | NI-360 |
| 文件大小 |
217.54 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Motorola【摩托羅拉】 |
| 中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-31 20:00:00 |
MRF373規(guī)格書詳情
The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies from 470 – 860 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large–signal, common source amplifier applications in 28 volt transmitter equipment.
? Guaranteed CW Performance at 860 MHz, 28 Volts, Narrowband Fixture
Output Power – 60 Watts
Power Gain – 13 dB
Efficiency – 50
? Typical Performance at 860 MHz, 28 Volts, Broadband Push–Pull Fixture
Output Power – 100 Watts (PEP)
Power Gain – 11.2 dB
Efficiency – 40
IMD – –30 dBc
? Excellent Thermal Stability
? 100 Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles with 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 860 MHz, 60 Watts CW
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF373ALR5
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
860MHz
- 增益：
18.2dB
- 功率 - 輸出：
75W
- 封裝/外殼：
NI-360
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-360
- 描述：
FET RF 70V 860MHZ NI-360
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
NA/ |
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