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MTA1N60E	文件：854.58 Kbytes Page：13 Pages	FULLY ISOLATED TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD1N60E	文件：266.59 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERE600VOLTSRDS(on)=8.0OHM TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD1N60E	文件：346.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP1N60	文件：175.09 Kbytes Page：5 Pages	PowerFieldEffectTransisterN-ChannelEnhancementModeSiliconGate PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. ?SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTimesSpecif	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP1N60	文件：116.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor ?DESCRITION ?Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. ?FEATURES ?DrainCurrent-ID=1A@TC=25°C ?DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=8Ω(Max) ?AvalancheEnergySpecified ?FastSwitching ?SimpleDriveRequirements	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
MTP1N60	文件：301.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP1N60E	文件：232.59 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=8.0OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP1N60E	文件：121.42 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NDDL1N60Z	文件：113.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NDTL1N60Z	文件：113.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NFT1N60	文件：1.553 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
NJ1N60	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60A-LI	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60-BL	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60D-LI	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60D-TR	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60F-LI	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60-TB	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
PHD1N60E	文件：1.08597 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHP1N60	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePower	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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詳細參數

型號：
MTA1N60E
制造商：
MOTOROLA
制造商全稱：
Motorola, Inc
功能描述：
FULLY ISOLATED TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市昌和盛利電子有限公司	MTA1N60E	ON	23+	TO-220F	6893		詢價
深圳市一線半導體有限公司	MTA1N60E	MOT	24+	N/A	1125		詢價
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MTA200-08	PERSEMI	23+	DIP	15000	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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上海市鑫鴻達電子	MTA206N	TE Connectivity	2022+		517	全新原裝貨期兩周	詢價
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更多MTA1N60E供應商更新時間2025-1-1 9:00:00

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