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NP109N055PUK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP109N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.2m?MAX.(VGS=10V,ID=55A) ?LowCiss:Ciss=7500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationan

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP109N055PUK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP109N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ●Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) ●LowCiss:Ciss=7500pFTYP.(VDS=25V) ●Designedforautomotiveapplication

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數

  • 型號:

    NP109N055PUK-E1-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    MOSFET - Rail/Tube

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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