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NP36N055IHE中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NP36N055IHE
廠商型號(hào)

NP36N055IHE

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

381.2 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 18:51:00

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NP36N055IHE規(guī)格書詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

These products are N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

FEATURES

? Channel temperature 175 degree rated

? Super low on-state resistance

RDS(on) = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

? Low Ciss : Ciss = 2300 pF TYP.

? Built-in gate protection diode

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VBsemi
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全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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