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NTB18N06G	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 15 A, 60 V, N??hannel TO??20 & D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTB18N06L	文件：306.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTB18N06L	文件：92.15 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel(N??hannelTO??20andDPAK) PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTB18N06L	文件：91.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTB18N06LG	文件：91.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD18N06	文件：168.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET18Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD18N06	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD18N06	文件：157.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET18Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD18N06G	文件：157.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET18Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：334.95 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTD18N06L	文件：169.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET18A,60V,LogicLevelN.ChannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?AECQ101Qualified?NTDV18N06L ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：92.06 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?AECQ101Qualified?NTDV18N06L ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD18N06LG	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD18N06LG	文件：897.07 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTDV18N06L	文件：169.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET18A,60V,LogicLevelN.ChannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?AECQ101Qualified?NTDV18N06L ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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NTP18N06G	文件：1.09044 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTP18N06G	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15A,60V,N??hannelTO??20&D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTP18N06L	文件：91.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
NTB18N06G
功能描述：
MOSFET 60V 15A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	NTB18N06G	ON/安森美	24+	D2PAK	20000	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市一線半導體有限公司	NTB18N06G	ON	24+	D2PAK3LEAD	8866		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	NTB18N06G	ON	23+	TO-263(D2PAK	3500	專業(yè)優(yōu)勢供應	詢價
深圳市華來深電子有限公司	NTB18N06G	ON	23+	TO-263	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市宇集芯電子有限公司	NTB18N06G	ONS	24+	TO-263	90000	一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理	詢價
深圳市近平電子有限公司	NTB18N06G	ON	6000	面議	19	DIP/SMD	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	NTB18N06G	ONS	2023+	D2PAK	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	NTB18N06G	ONS	2020+	D2PAK	16800	絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	NTB18N06G	VISHAY/威世	23+	DPAK(TO-	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
深圳市澳億芯電子科技有限公司	NTB18N06G	ONS	08+	D2PAK	20000	普通	詢價

更多NTB18N06G供應商更新時間2024-11-15 16:36:00

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