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NTH4L040N120SC1_V02中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTH4L040N120SC1_V02
廠商型號

NTH4L040N120SC1_V02

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

文件大小

361.86 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-6 17:39:00

NTH4L040N120SC1_V02規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 40 m

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC-DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
21+
NA
3000
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價
ON
22+
NA
30000
原裝正品支持實單
詢價
23+
NA
6800
原裝正品,力挺實單
詢價
ON2
23+
原廠原封
450
訂貨1周 原裝正品
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23+
TO247-4
10000
正規(guī)渠道,只有原裝!
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24+
TO247-4
9000
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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24+
TO247-4
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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24000
原裝正品現(xiàn)貨,實單可談,量大價優(yōu)
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