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NTQD6866R2

Power MOSFET 6.9 Amps, 20 Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

SI6866BDQ

DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI6866DQ

DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET

VAISH

Vaishali Semiconductor

TSM6866D

20VDualN-ChannelMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM6866D

20VDualN-ChannelMOSFETw/ESDProtected

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM6866DCA

20VDualN-ChannelMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM6866DCA

20VDualN-ChannelMOSFETw/ESDProtected

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM6866SD

20VDualN-ChannelMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM6866SDCARV

20VDualN-ChannelMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM6866SDCARV

20VDualN-ChannelMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NTQD6866

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 5.8A N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/ONSemiconductor/安森
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SMD
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新進庫存/原裝
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更多NTQD6866供應(yīng)商 更新時間2025-2-27 15:30:00

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