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PBSS5612PA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5612PA
廠商型號

PBSS5612PA

參數(shù)屬性

PBSS5612PA 封裝/外殼為3-PowerUDFN;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 12V 6A 3HUSON

功能描述

12 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識

A9

封裝外殼

HUSON3 / 3-PowerUDFN

文件大小

277.33 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-27 20:00:00

PBSS5612PA規(guī)格書詳情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.

NPN complement: PBSS4612PA.

Features and benefits

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

■ Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity

■ Leadless small SMD plastic package with medium power capability

Applications

■ Loadswitch

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

■ Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS5612PA,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 300mA,6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    190 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    60MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-PowerUDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-HUSON(2x2)

  • 描述:

    TRANS PNP 12V 6A 3HUSON

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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