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PDTA123E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTA123E
廠商型號

PDTA123E

參數(shù)屬性

PDTA123E 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

功能描述

PNP resistor-equipped transistors

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

102.48 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 22:41:00

PDTA123E規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).

FEATURES

? Built-in bias resistors

? Simplified circuit design

? Reduction of component count

? Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

? General purpose switching and amplification

? Inverter and interface circuits

? Circuit driver.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTA123EK,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 20mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SMT3; MPAK

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
23+
SOT-89
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
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NXP
23+
SOT323
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
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23+
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NXP/恩智浦
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SOT-23
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SOT-416SC-75-3
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